碳化硅陶瓷采用熱等靜壓燒結(jié)在性能上有何變化？

　　近年來，為進(jìn)一步提高SiC陶瓷的力學(xué)性能，公司進(jìn)行了SiC陶瓷熱等靜壓工藝的研究工作。主要以B和C為添加劑，采用熱等靜壓燒結(jié)工藝，在1900℃便獲得高密度SiC燒結(jié)體。更進(jìn)一步，通過該工藝，在2000℃和138MPa壓力下，成功實現(xiàn)無添加劑SiC陶瓷的致密燒結(jié)。
　　結(jié)果表明：當(dāng)SiC粉末的粒徑小于0．6μm時，即使不引入任何添加劑，通過熱等靜壓燒結(jié)，在1950℃即可使其致密化。如選用比表面積為24m2／g的SiC超細(xì)粉，采用熱等靜壓燒結(jié)工藝，在1850℃便可獲得高致密度的無添加劑SiC陶瓷。
　　另外，Al2O3是熱等靜壓燒結(jié)SiC陶瓷的有效添加劑。而C的添加對SiC陶瓷的熱等靜壓燒結(jié)致密化不起作用，過量的C甚至?xí)种芐iC陶瓷的燒結(jié)。